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中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总
中国碳化硅产业链全景图碳化硅材料是制作高频、温抗辐射及大功率器件的优异材料。和Si、GaAs等第一、二代半导体材料相比，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）拥有击穿电压高、宽禁带、导热率高、电子 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代， 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
国内碳化硅IDM厂商三安光电，衬底厂商天岳先进、露笑科技、东尼 电子、北京天科，器件厂商士兰微、华润微电子、燕东微电子等加速扩产，而 设备是决定各厂 国产厂商齐发力切磨抛设备 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会--经济科技--人民网
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后，将形成碳化硅研发和生产全产业链两条生 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
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碳化硅_百度百科
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。. 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物， 莫桑石 。. 在C、N 2、衬底. 长晶完成后，就进入衬底生产环节。. 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。. 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用 碳化硅产品的应用方向和生产过程
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碳化硅产业链最全分析
本文首发自公众号：价值盐选. 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。. 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。. 01 SiC 基 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。. 在图形化、刻蚀、化 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_中国纳米行业门户
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
1. SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心. 1.1. SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越. 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。. 核心分为以下三代：. 1) 第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 智东西. 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。. 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。. 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
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本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！. 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。. 根据Yole预测，2018-2024年，全球SiC功率器件市场规模将由4.20亿美元增长至19.29亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是最大驱动力，预计本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、 研究进展和产业化现状， 提出了未来努力的方向和解决的方案， 并展望了其未来的发展趋势和应用前景。. 同第一代半导体材料硅 (Si)、 锗 (Ge)和第二代半导体材料砷化镓 (GaAs)、 磷化液 (InP)相 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展
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碳化硅/氮化镓新赛道已经开启 哪些标的值得关注？|氮化镓
最近半年在各大券商的电子行业电话调研会中，讨论最多的是第三代半导体材料，碳化硅、氮化镓成为市场聚焦的新赛道。. 简单来说，第三代产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”. 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。. 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
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半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比
半导体制造之设备篇. 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 碳化硅优势：. 1）有利于小型化，可以使电感电容尺寸小型化，节省电容电感的材料成本. 2）工作速度快，频率约是 10 倍，. 3）工作温度更高，功率器件，IGBT等模块的话，约170度，碳化硅可达到200 度 碳化硅产业链深度解析（全网最全独家） 碳化硅产业链
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 08:57:31 来源：科技日报. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底 制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，其中碳化硅衬底是产业链的核心区域，占据市场总成本的 50%左右。. 此外，碳化硅外延片和器件制造分别占据产业成本的 25%和 20%，同样是市场成本的 主 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下篇）|碳化硅|器件
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》-2023.2.12 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》-2023.2.7 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。碳化硅_百度百科
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【行业观察】国产替代加速，我国第三代半导体碳化硅迎来新
03 碳化硅的国内外技术差距及发展机会 一是碳化硅衬底，生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。影响碳化硅衬底成本的制约性因素在于生产速率慢、缺陷控制难度大、产品良率低。高景气行情下，国产碳化硅市场亟待突围. 整体来看，目前碳化硅材料和功率器件主要由海外企业主导，国内企业仍处于发展初期，与国际巨头存在碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代|碳化硅_新浪财经_新浪网
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫 氏硬度达 9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
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半导体届“小红人”——碳化硅
碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。. 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。. 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 此外，日本昭和电工近两年已三度进行了碳化硅晶圆的扩产，代工厂方面的德国X-Fab、台湾汉磊也都斥资新建碳化硅生产线。 碳化硅行业俨然已成为功率半导体器件行业的新战场。 碳化硅功率半导体器件 SiC碳化硅：功率半导体器件行业新战场
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国内碳化硅产业链！-电子工程专辑
制备温度方面，碳化硅衬底需要在2500度高温设备下进行生产，而硅晶只需1500度；生产周期方面，碳化硅晶圆约需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；商业化晶圆尺寸方面，目前碳化硅晶圆主要是4英寸 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非 碳化硅
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国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 模拟
因此，产业上需要将Si基功率器件生产线转换成SiC器件生产线，往往只需要增加一些专用设备就可以完成生产线设备平台的转型。各工艺环节关键设备如表1所示。 表1 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备 1.3 SiC工艺及装备挑战碳化硅较硅有何性能优势？. 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。. SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。. SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有 碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？-EDN 电子技术设计
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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 电子发烧友网
SiC-CVD设备是为外延生产服务的,生长速度、均匀性和掺杂均匀性一直是碳化硅外延生长的研究重 点,以此为目标设计和优化是SiC-CVD设备技术发展的趋势,以下为需要重点研究的领域: (1)反应室模拟和实验验证; (2)结合工艺创新得到更高生长速率;我们认为长晶难点在于工艺而非设备本身，目前部分碳化硅衬底厂商选择自研长 晶设备，也有部分厂商选择外购模式。 根据公司年报及招股说明书，天科合达成立沈阳分公司生产拥有自主知识产权的碳化 硅单晶生长炉，2019 年对外销售 23 台。碳化硅行业专题分析：国内衬底厂商加速布局|北方华创|碳化硅
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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？-要闻-资讯-中国粉体网
设备作为碳化硅 产业链中的重要一环，正在飞速发展。 首页 资讯 粉体展 人才 资料 会展 【原创】造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备 ？ 来源： 中国粉体网 山川 35068 人阅读 标签碳化硅产业链 先进陶瓷半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。 碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。【详解】华为认为中高压SiC器件成熟在即 相关仪器设备需求
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新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
碳化硅生产流程主要涉及以下过程：. 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；. 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法
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